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SDD04S60

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Technische Details SDD04S60

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Current - Average Rectified (Io): 4A, Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SDD04S60 Infineon SDP_D_T04S60_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b43951af6d69 Діоди та діодні збірки
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SDD04S60 SDD04S60 Infineon Technologies SDP_D_T04S60_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b43951af6d69 Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SDD04S60 Infineon Technologies Infineon-SDP_D_T04S60-DS-v02_05-en-479551.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode 600V
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Hersteller: Infineon
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SDD04S60
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-31
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SDD04S60 Infineon-SDP_D_T04S60-DS-v02_05-en-479551.pdf
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Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Schottky Diode 600V
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