SEMIX101GD12E4S 27890195 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
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Technische Details SEMIX101GD12E4S 27890195 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMIX®13, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SEMIX101GD12E4S 27890195
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX101GD12E4S 27890195 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMIX®13 |
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