SEMIX186DGL16P 27896200 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: SEMiX® 6p
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: SEMiX® 6p
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Technische Details SEMIX186DGL16P 27896200 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.6kV, Case: SEMiX® 6p, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SEMIX186DGL16P 27896200 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Case: SEMiX® 6p |
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