SF58

SF58 TSC


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Produktcode: 29857
Hersteller: TSC
Gehäuse: DO-201AD
Vrr, V: 600
Iav, A: 5
Trr, ns: 35
verfügbar 121 Stück:

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SF58 SF58
Produktcode: 193431
Hersteller : MIC Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 5 A
Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: THT
auf Bestellung 378 Stück:
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SF58 SF58
Produktcode: 193431
Hersteller : MIC Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 5 A
Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: THT
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SF58 Hersteller : TE Connectivity SF58
auf Bestellung 20 Stücke:
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SF58 Hersteller : TE Connectivity Description: Memory Card Connectors
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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3+79.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SF58 SF58 Hersteller : EIC Semiconductor sf51_9_rev.06.pdf Rectifier Diode Switching 800V 5A 35ns 2-Pin DO-201AD
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SF58 Hersteller : Taiwan Semiconductor Rectifiers 5A, 600V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
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Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 802 Stück
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
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Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 41 Stück
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10+ 0.088 EUR
UF5408
Produktcode: 27170
uf5408.pdf
UF5408
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 75
verfügbar: 368 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.071 EUR
SF28
Produktcode: 128105
datasheet-sf28-datasheet.pdf
SF28
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-15
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 2 A
Trr, ns: 35 ns
auf Bestellung 2061 Stück:
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13502 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.45 EUR
100+ 1 EUR