SGT3D5R10MEB STMicroelectronics
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Technische Details SGT3D5R10MEB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.6nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.
Weitere Produktangebote SGT3D5R10MEB nach Preis ab 3.53 EUR bis 8.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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SGT3D5R10MEB | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 201A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 7.6nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: En-FCLGA Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
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| SGT3D5R10MEB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
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