Technische Details SH32N65DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 208W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SH32N65DM6AG nach Preis ab 16.73 EUR bis 54.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SH32N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH32N65DM6AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH32N65DM6AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 208W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Part Status: Active |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH32N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 208W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH32N65DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 32.43 EUR |
| 50+ | 27.44 EUR |
| 100+ | 25.47 EUR |
| SH32N65DM6AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 33.21 EUR |
| 10+ | 24.53 EUR |
| 100+ | 16.73 EUR |
| SH32N65DM6AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35 EUR |
| 10+ | 24.92 EUR |
| 100+ | 22.03 EUR |
| SH32N65DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 54.75 EUR |
| 7+ | 38.64 EUR |
| 10+ | 32.43 EUR |
| 50+ | 27.44 EUR |
| 100+ | 25.47 EUR |