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SH32N65DM6AG

SH32N65DM6AG STMicroelectronics

sh32n65dm6ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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Technische Details SH32N65DM6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 208W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH32N65DM6AG SH32N65DM6AG STMicroelectronics sh32n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
auf Bestellung 192 Stücke:
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SH32N65DM6AG SH32N65DM6AG STMICROELECTRONICS 3968623.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SH32N65DM6AG SH32N65DM6AG STMICROELECTRONICS 3968623.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SH32N65DM6AG
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 208W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
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tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH32N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.097 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 208W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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