SH63N65DM6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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Technische Details SH63N65DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.056ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 424W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SH63N65DM6AG nach Preis ab 38 EUR bis 42.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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SH63N65DM6AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.056ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 424W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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SH63N65DM6AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.056ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 424W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH63N65DM6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 424W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT |
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| SH63N65DM6AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 424W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT |
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