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SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

3983217.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+43.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Technische Details SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 424W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.54 EUR
10+36.71 EUR
100+31.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS 3983217.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48 Stücke:
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4+70.59 EUR
5+51.91 EUR
10+43.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SH63N65DM6AG STMicroelectronics en.dm00991842.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+43.9 EUR
10+33.82 EUR
200+27.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SH63N65DM6AG STMicroelectronics en.dm00991842.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 53A 9-Pin ACEPACK SMIT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+43.9 EUR
10+33.08 EUR
200+26.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SH63N65DM6AG STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.9 EUR
10+45.22 EUR
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MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.064 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Verlustleistung, n-Kanal: 424W
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Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
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Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
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