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SH8J65TB1

SH8J65TB1 Rohm Semiconductor

sh8j65.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
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Technische Details SH8J65TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor sh8j65.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
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102+1.73 EUR
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1000+1.37 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor sh8j65.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.73 EUR
106+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.84 EUR
100+2.26 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+2.68 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
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SH8J65TB1 SH8J65TB1 ROHM datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
73+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J65TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SH8J65TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+1.73 EUR
106+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SH8J65TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+1.73 EUR
106+1.62 EUR
250+1.52 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.37 EUR
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SH8J65TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J65TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 3351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.44 EUR
10+2.84 EUR
100+2.26 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J65TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.74 EUR
10+2.68 EUR
100+1.96 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
2500+1.45 EUR
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SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8J65TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2394 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
73+3.2 EUR
106+2.03 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8J65TB1 datasheet?p=SH8J65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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