SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.73 EUR |
| 10+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.66 EUR |
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Technische Details SH8JE5TB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SH8JE5TB1 nach Preis ab 1.84 EUR bis 4.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SH8JE5TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| SH8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
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| SH8JE5TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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