Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8K26GZ0TB1
SH8K26GZ0TB1

SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SH8K26GZ0TB1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.98 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor sh8k26gz0tb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+0.98 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
126+1.84 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
126+1.84 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
50+1.67 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 SH8K26GZ0TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+0.98 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 sh8k26gz0tb-e.pdf
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+0.98 EUR
250+0.92 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
126+1.84 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
126+1.84 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
50+1.67 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8K26GZ0TB1 datasheet?p=SH8K26&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8K26GZ0TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
auf Bestellung 3499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.54 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH