SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2500+0.76 EUR
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Technische Details SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SH8KB6TB1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
500+0.81 EUR
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SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.65 EUR
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SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
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8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 ROHM sh8kb6tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
130+1.8 EUR
186+1.15 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
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SH8KB6TB1 SH8KB6TB1 Rohm Semiconductor sh8kb6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 11647 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
130+1.8 EUR
186+1.15 EUR
500+0.84 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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