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SH8KC6TB1

SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
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Technische Details SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.71 EUR
145+1.18 EUR
185+0.9 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 4399 Stücke:
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2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10698 Stücke:
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8+2.89 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
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100+2.95 EUR
133+1.76 EUR
178+1.2 EUR
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29 Stücke:
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor sh8kc6tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
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SH8KC6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
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500+0.75 EUR
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SH8KC6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
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MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
2+2.89 EUR
10+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
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SH8KC6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SH8KC6TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.95 EUR
133+1.76 EUR
178+1.2 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SH8KC6TB1 datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KC6TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 29 Stücke:
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SH8KC6TB1 sh8kc6tb1-e.pdf
SH8KC6TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
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Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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