SH8KC6TB1

SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 12500 Stücke:

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Technische Details SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SH8KC6TB1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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Anzahl Preis
44+1.63 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 14840 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+1.37 EUR
100+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 12569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.24 EUR
13+1.41 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SH8KC6TB1 SH8KC6TB1 Hersteller : ROHM datasheet?p=SH8KC6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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