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SH8KE7TB1

SH8KE7TB1 ROHM


Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.33 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details SH8KE7TB1 ROHM

Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor sh8ke7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 80 Stücke:
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73+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor sh8ke7tb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
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46+4.06 EUR
63+2.75 EUR
100+2.63 EUR
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SH8KE7TB1 SH8KE7TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 4661 Stücke:
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1+5.45 EUR
10+3.53 EUR
100+2.43 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.78 EUR
5000+1.74 EUR
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Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
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Qualifikation: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Bauform - Transistor: SOP
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