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SH8M41TB1

SH8M41TB1 Rohm Semiconductor

sh8m41-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
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Technische Details SH8M41TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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100+2.23 EUR
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.6/8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.4/-2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80/-80V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
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SH8M41TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SH8M41TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 1900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
89+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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SH8M41TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 2319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.52 EUR
100+2.23 EUR
200+1.84 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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SH8M41TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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54+4.68 EUR
83+2.81 EUR
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SH8M41TB1
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.6/8.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.4/-2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80/-80V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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