SH8M41TB1

SH8M41TB1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
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Technische Details SH8M41TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SH8M41TB1 nach Preis ab 0.58 EUR bis 3.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor sh8m41-e.pdf DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor sh8m41-e.pdf DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
On-state resistance: 160/310mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
40+1.81 EUR
113+0.64 EUR
119+0.60 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
On-state resistance: 160/310mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
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113+0.64 EUR
119+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8M41&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
auf Bestellung 15033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+2.31 EUR
25+2.16 EUR
100+1.55 EUR
250+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SH8M41TB1 SH8M41TB1 Hersteller : ROHM sh8m41-e.pdf Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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