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Technische Details SH8M41TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SH8M41TB1 nach Preis ab 1.25 EUR bis 4.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SH8M41TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
auf Bestellung 2319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SH8M41TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.95 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| SH8M41TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 3.51 EUR |
| SH8M41TB1 |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
auf Bestellung 2319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 3.57 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 200+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |
| SH8M41TB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| SH8M41TB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 4.95 EUR |
| 79+ | 2.95 EUR |
| 117+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |




