SH8M41TB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.95 EUR |
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Technische Details SH8M41TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SH8M41TB1 nach Preis ab 0.58 EUR bis 3.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SH8M41TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8 Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.6/8.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10.4...13.6A Drain-source voltage: 80/-80V Drain current: 3.4/-2.6A On-state resistance: 160/310mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1691 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8 Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.6/8.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10.4...13.6A Drain-source voltage: 80/-80V Drain current: 3.4/-2.6A On-state resistance: 160/310mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET |
auf Bestellung 1691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET |
auf Bestellung 15033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SH8M41TB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |