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SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
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Technische Details SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.028 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, 30V Nch+Pch Power MOSFET
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SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
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SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.028 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 ROHM datasheet?p=SH8MA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.028 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs Transistor, 30V Nch+Pch Power MOSFET
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Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
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SH8MA3TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.028 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
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SH8MA3TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.028 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
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147+1.58 EUR
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