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SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor

Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SH8MA3TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
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Technische Details SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 Hersteller : ROHM sh8ma3tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SH8MA3TB1 SH8MA3TB1 Hersteller : ROHM sh8ma3tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
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Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SH8MA3TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR SH8MA3TB1 Multi channel transistors
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