SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor


sh8ma4tb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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Technische Details SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30/-30V, Drain current: 9/-8.5A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 3W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 32.5/41.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15.5/19.6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.

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SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Hersteller : ROHM Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf MOSFET SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
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SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Hersteller : Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR sh8ma4tb1-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR sh8ma4tb1-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
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On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
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