Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8MA4TB1
SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

sh8ma4tb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SH8MA4TB1 nach Preis ab 0.84 EUR bis 4.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
10+2.14 EUR
100+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM Semiconductor sh8ma4tb1-e.pdf MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
102+2.27 EUR
154+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 SH8MA4TB1 ROHM sh8ma4tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.59 EUR
102+2.27 EUR
154+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.02 EUR
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
172+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.4 EUR
10+2.14 EUR
100+1.68 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.2 EUR
10+2.05 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.59 EUR
102+2.27 EUR
154+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MA4TB1 sh8ma4tb1-e.pdf
SH8MA4TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0214 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0296ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0214ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.59 EUR
102+2.27 EUR
154+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH