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SH8MB5TB1

SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor

sh8mb5tb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SH8MB5TB1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 5.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
118+1.83 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 8016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.59 EUR
100+1.98 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
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SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 Rohm Semiconductor sh8mb5tb1-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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SH8MB5TB1 SH8MB5TB1 ROHM sh8mb5tb1-e.pdf Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
106+2.02 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
5000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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SH8MB5TB1 sh8mb5tb1-e.pdf
SH8MB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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118+1.83 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SH8MB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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SH8MB5TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.77 EUR
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AnzahlPrivatkunde
1+3.89 EUR
10+2.59 EUR
100+1.98 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SH8MB5TB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0194 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0194ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
106+2.02 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
5000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH