
SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.27 EUR |
6000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.24 EUR |
15000+ | 0.22 EUR |
30000+ | 0.21 EUR |
75000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI1012R-T1-GE3 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.18 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 133689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
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SI1012R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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