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SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012rx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
auf Bestellung 132000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.27 EUR
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Technische Details SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75A, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1012rx.pdf MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
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3+1.15 EUR
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
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SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Package / Case: SC-75, SOT-416
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
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