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SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012rx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.26 EUR
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75000+0.24 EUR
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Technische Details SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.65 EUR
595+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.95 EUR
265+0.64 EUR
592+0.27 EUR
596+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
263+0.88 EUR
422+0.51 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1012rx.pdf MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
auf Bestellung 2 Stücke:
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10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
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SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 133689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.86 EUR
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500+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
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100+0.79 EUR
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SI1012R-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
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Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
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Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
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N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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