SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.1 EUR |
| 21000+ | 0.097 EUR |
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Technische Details SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI1013CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.089 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® |
auf Bestellung 3095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3 |
auf Bestellung 19354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V |
auf Bestellung 28365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SI1013CX-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 295+ | 0.24 EUR |
| 329+ | 0.22 EUR |
| 486+ | 0.15 EUR |
| 596+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.089 EUR |
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
auf Bestellung 19354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.49 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 0.56 EUR |
| 53+ | 0.34 EUR |
| 105+ | 0.17 EUR |
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 450mA
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1013CX-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke: