Produkte > VISHAY > SI1013CX-T1-GE3
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 Vishay

si1013cx.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1013CX-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI1013CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.74 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
21000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1119+0.13 EUR
1268+0.11 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
163+0.44 EUR
266+0.27 EUR
353+0.20 EUR
486+0.15 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
163+0.44 EUR
266+0.27 EUR
353+0.20 EUR
486+0.15 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
auf Bestellung 28365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
53+0.34 EUR
105+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1013cx.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
auf Bestellung 3496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.46 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001110008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001110008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH