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SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
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SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
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