Produkte > VISHAY SILICONIX > SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote SI1013X-T1-GE3 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
355+0.49 EUR
359+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
auf Bestellung 7982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.6 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.79 EUR
260+0.65 EUR
263+0.62 EUR
355+0.44 EUR
359+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 13296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 71167.pdf
SI1013X-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
263+0.67 EUR
355+0.49 EUR
359+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
auf Bestellung 7982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.6 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 71167.pdf
SI1013X-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+0.79 EUR
260+0.65 EUR
263+0.62 EUR
355+0.44 EUR
359+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013X-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 13296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH