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SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1022r.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SC-75A, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
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500+0.44 EUR
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SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1022r.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
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10+0.82 EUR
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500+0.43 EUR
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6000+0.32 EUR
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SI1022R-T1-GE3 Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
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FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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Vgs (Max): ±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
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