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Technische Details SI1022R-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI1022R-T1-GE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15672 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A |
auf Bestellung 87731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1906 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |