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SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Name: SI1022R-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 19946674-8
Price: 71.61 EUR
Availability: InStock

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 1431 Stücke:

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Anzahl	Preis
77+	0.93 EUR
113+	0.64 EUR
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268+	0.27 EUR
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Technische Details SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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283+	0.25 EUR
3000+	0.24 EUR

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

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3000+	0.29 EUR
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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

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25+	0.72 EUR
30+	0.61 EUR
100+	0.50 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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195+	0.76 EUR
249+	0.57 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A

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4+	0.94 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.40 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0001109163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

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Anzahl	Preis
50+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

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SI1022R-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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