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SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1025x.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
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Technische Details SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay si1025x.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.36 EUR
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244+0.73 EUR
310+0.56 EUR
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500+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay si1025x.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1852 Stücke:
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201+0.88 EUR
231+0.74 EUR
244+0.67 EUR
310+0.51 EUR
314+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1025x.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
auf Bestellung 37299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.81 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
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14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 VISHAY VISHS97344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
249+0.93 EUR
259+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-666 Очікується: 20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 300 Stücke:
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SI1025X-T1-GE3
Hersteller: Vishay
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AnzahlPrivatkunde
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244+0.67 EUR
310+0.51 EUR
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MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
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10+0.81 EUR
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500+0.44 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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