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SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1025x.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Anzahl Preis
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6000+0.26 EUR
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Technische Details SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI1025X-T1-GE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1025x.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
auf Bestellung 16543 Stücke:
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14+1.28 EUR
23+0.80 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISHS97344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 16283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI1025X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1025x.pdf SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Hersteller : Vishay 71433.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
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