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SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si1032rx.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
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Technische Details SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1032rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
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SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1032rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1032r.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
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SI1032X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1032rx.pdf SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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