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Technische Details SI1032X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 200, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI1032X-T1-GE3 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V |
auf Bestellung 78948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2634 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
auf Bestellung 78948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.25 EUR |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 275+ | 0.64 EUR |
| 373+ | 0.46 EUR |
| 380+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 355+ | 0.7 EUR |
| 447+ | 0.52 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 695+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 218+ | 0.81 EUR |
| 272+ | 0.62 EUR |
| 275+ | 0.6 EUR |
| 373+ | 0.42 EUR |
| 380+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 0.82 EUR |
| 30+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| SI1032X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| SI1032X-T1-GE3 |
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auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)