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SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3 VISHAY

si1036x.pdf Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
183+0.39 EUR
206+0.35 EUR
345+0.21 EUR
500+0.15 EUR
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Technische Details SI1036X-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
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Mindestbestellmenge: 236
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si1036x.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
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10+0.51 EUR
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500+0.24 EUR
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
auf Bestellung 3412 Stücke:
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Anzahl Preis
21+0.84 EUR
35+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1036x.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1036x.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
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SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
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Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
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