auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.17 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1036X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung Pd: 220mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1036X-T1-GE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 8609 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SC89-6 |
auf Bestellung 74380 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung Pd: 220mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SC-89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm Dauer-Drainstrom Id: 610mA rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 220mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |