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Technische Details SI1036X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI1036X-T1-GE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.84 EUR
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6 |
auf Bestellung 49449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 3412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1036X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI1036X-T1-GE3 Multi channel transistors |
auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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