auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 688+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1070X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI1070X-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 1578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 |
|
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |