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SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 Vishay

si1070x.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
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Technische Details SI1070X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: To Be Advised.

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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1070x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1070x.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1070x.pdf Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1070x.pdf Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1070x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
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SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1070x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
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