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Technische Details SI1077X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Weitere Produktangebote SI1077X-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 |
auf Bestellung 20874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1077X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SI1077X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 869+ | 0.2 EUR |
| 902+ | 0.19 EUR |
| 937+ | 0.18 EUR |
| 975+ | 0.17 EUR |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 497+ | 0.35 EUR |
| 860+ | 0.19 EUR |
| 902+ | 0.17 EUR |
| 937+ | 0.15 EUR |
| 975+ | 0.14 EUR |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
auf Bestellung 20874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.6 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
auf Bestellung 4304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1077X-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
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