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Si1078X-T1-GE3

Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1078x.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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Technische Details Si1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.02A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Si1078X-T1-GE3 Si1078X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1078x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
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Si1078X-T1-GE3 Si1078X-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1078x.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
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SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3672832.pdf Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
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SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3672832.pdf Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1078x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R
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Si1078X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1078x.pdf SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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