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SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si1079x.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC89-6
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Technische Details SI1079X-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1079X-T1-GE3 SI1079X-T1-GE3 VISHAY VISHS95897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
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SI1079X-T1-GE3 SI1079X-T1-GE3 VISHAY VISHS95897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
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SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1079x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
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SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1079x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
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32+0.68 EUR
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SI1079X-T1-GE3 VISHS95897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1079X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
auf Bestellung 3609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1079X-T1-GE3 VISHS95897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1079X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
auf Bestellung 3609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1079X-T1-GE3 si1079x.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
32+0.68 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH