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Technische Details SI1079X-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI1079X-T1-GE3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
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| SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V |
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SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI1079X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -1.44A; Idm: -8A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.44A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A |
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