SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI1308EDL-T1-BE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1308EDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
auf Bestellung 15301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC70 N CHAN 30V |
auf Bestellung 78793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SC-70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1308EDL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
SI1308EDL-T1-BE3 |
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