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SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3 Vishay


si1308edl.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details SI1308EDL-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1308edl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1308edl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
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Anzahl Preis
310+0.48 EUR
527+0.27 EUR
532+0.26 EUR
538+0.25 EUR
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
204+0.35 EUR
264+0.27 EUR
382+0.19 EUR
407+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 132mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 4.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1308edl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+0.62 EUR
294+0.49 EUR
310+0.44 EUR
527+0.25 EUR
532+0.24 EUR
538+0.23 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 237
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
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SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2188937.pdf Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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