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Technische Details SI1317DL-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1317DL-T1-BE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1317DL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
P-Channel 20 V MOSFET |
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| SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
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SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 272 pF @ 10 V |
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| SI1317DL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.4A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 |
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