| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.66 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details SI1401EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote SI1401EDH-T1-BE3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI1401EDH-T1-BE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1401EDH-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1401EDH-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.11 EUR |
| 26+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| SI1401EDH-T1-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI1401EDH-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 12V, 4A, SC-70
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1970 Stücke:
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