Technische Details SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363, Case: SC70-6; SOT363, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.6A, Gate charge: 4nC, On-state resistance: 0.14Ω, Power dissipation: 0.6W, Gate-source voltage: ±12V.
Weitere Produktangebote SI1403CDL-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1403CDL-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363 Case: SC70-6; SOT363 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Gate charge: 4nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±12V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1403CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
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Stück im Wert von UAH
| SI1403CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
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| SI1403CDL-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
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