SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details SI1403CDL-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363, Case: SC70-6; SOT363, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.6A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 4nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI1403CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 |
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| SI1403CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363 Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD |
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