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SI1411DH-T1-GE3

SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1411dh.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
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Technische Details SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1411dh.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
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SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1411dh.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
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SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001860986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001860986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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SI1411DH-T1-GE3 SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : Vishay si1411dh.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
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SI1411DH-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1411dh.pdf SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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