SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1411DH-T1-GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6 |
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SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V |
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SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1411DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI1411DH-T1-GE3 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |