SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
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Technische Details SI1411DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 420mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI1411DH-T1-GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI1411DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 12187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1411DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V |
auf Bestellung 8502 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1411DH-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI1411DH-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 420mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm |
auf Bestellung 1799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI1411DH-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
auf Bestellung 12187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.49 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
| SI1411DH-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.57 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| SI1411DH-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI1411DH-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Description: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 1799 Stücke:
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