SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 41+ | 1.28 EUR |
| 49+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.41 EUR |
| 9000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details SI1441EDH-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A, Case: SC70-6; SOT363, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4A, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 33nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -25A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI1441EDH-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 |
auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 10V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 12564 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363 |
auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI1441EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -25A Case: SC70-6; SOT363 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 33nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -25A Mounting: SMD |
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