SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.36 EUR |
| 22+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
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Technische Details SI1469DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI1469DH-T1-BE3 | Vishay |
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A |
auf Bestellung 39032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI1469DH-T1-BE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
MOSFETs SOT363 P-CH 20V 2.7A
auf Bestellung 39032 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.93 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 3000+ | 0.44 EUR |
| 6000+ | 0.43 EUR |