Produkte > VISHAY > SI1480DH-T1-BE3
SI1480DH-T1-BE3

SI1480DH-T1-BE3 Vishay


si1480dh.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.22 EUR
6000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1480DH-T1-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote SI1480DH-T1-BE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.70 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
44+0.40 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si1480dh.pdf MOSFETs SOT363 100V 2.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 80736 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.55 EUR
100+0.45 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1480DH-T1-BE3 SI1480DH-T1-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1480dh.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH