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Technische Details SI1480DH-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.161 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI1480DH-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 5452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1480DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.161 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 7A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 7A Power dissipation: 2.8W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V |
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| SI1480DH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 7A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 7A Power dissipation: 2.8W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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