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SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY


si1902cdl.pdf Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.9A, Power dissipation: 0.27W, Case: SC70, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.235Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
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On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
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