Produkte > VISHAY SILICONIX > SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1902cdl.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.25 EUR
15000+0.23 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 420mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SI1902CDL-T1-GE3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
183+0.46 EUR
203+0.42 EUR
288+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1902cdl.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
auf Bestellung 30340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013953768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.02 EUR
393+0.6 EUR
614+0.35 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+1.15 EUR
437+0.54 EUR
736+0.29 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 91383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.9A
On-state resistance: 0.235Ω
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+0.56 EUR
183+0.46 EUR
203+0.42 EUR
288+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SC70-6
auf Bestellung 30340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.81 EUR
10+0.49 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 VISH-S-A0013953768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+1.02 EUR
393+0.6 EUR
614+0.35 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1902CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.195 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.195ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 420mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.195ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
217+1.15 EUR
437+0.54 EUR
736+0.29 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 91383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH