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SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1922edh.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote SI1922EDH-T1-BE3 nach Preis ab 0.20 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si1922edh.pdf MOSFETs SC70 N CHAN 20V
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SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
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1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 Hersteller : VISHAY 3204797.pdf Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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