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SI1922EDH-T1-BE3

SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1922edh.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
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Technische Details SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 Vishay / Siliconix si1922edh.pdf MOSFETs SOT363 2NCH 20V 1.3A
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SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1922edh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
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SI1922EDH-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3 VISHAY 3204797.pdf Description: VISHAY - SI1922EDH-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 20V, 1.3A, SC-70
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5985 Stücke:
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT363 2NCH 20V 1.3A
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 8V
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euEccn: NLR
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hazardous: false
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MSL: MSL 1 - Unlimited
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
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