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SI1926DL-T1-BE3

SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

si1926dl.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363, tariffCode: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf MOSFETs SC70 N CHAN 60V
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SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
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SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Hersteller : VISHAY 3204806.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363
tariffCode: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SC-70 T/R
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