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Technische Details SI1926DL-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363, tariffCode: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1926DL-T1-BE3 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1926DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
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SI1926DL-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 0.37A, SOT-363 tariffCode: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 510mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI1926DL-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
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