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Technische Details SI1926DL-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 510mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI1926DL-T1-E3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
auf Bestellung 7441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 6037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 510mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 510mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 510mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 510mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1926DL-T1-E3 |
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