SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 370, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4, Verlustleistung Pd: 510, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 510, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1926DL-T1-E3 nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6 |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
auf Bestellung 29681 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 370 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4 Verlustleistung Pd: 510 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 510 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 510 Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 370 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4 Verlustleistung Pd: 510 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 510 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 510 Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1926DL-T1-E3 |
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auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI1926DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI1926DL-T1-E3 SMD N channel transistors |
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