Produkte > VISHAY > SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3 Vishay

si1926dl.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI1926DL-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 510mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 510mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SI1926DL-T1-E3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.90 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
367+0.41 EUR
470+0.31 EUR
474+0.29 EUR
620+0.22 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 367
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay si1926dl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.37A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
294+0.51 EUR
364+0.40 EUR
367+0.38 EUR
470+0.28 EUR
474+0.27 EUR
620+0.20 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si1926dl.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC70-6
auf Bestellung 36908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.56 EUR
100+0.39 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
auf Bestellung 17184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.90 EUR
32+0.56 EUR
100+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : VISHAY 2245721.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Hersteller : VISHAY 2245721.pdf Description: VISHAY - SI1926DL-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 370 mA, 370 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 370mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 370mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 510mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 510mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 Hersteller : VISHAY si1926dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1926DL-T1-E3 Hersteller : VISHAY si1926dl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 370mA; Idm: 0.65A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 510mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH