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SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1965dh.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SI1965DH-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1965dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
auf Bestellung 3805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
25+0.86 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf Description: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
236+0.99 EUR
342+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 VISHAY si1965dh.pdf Description: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1.44 EUR
236+0.99 EUR
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SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1965dh.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 6153 Stücke:
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3+1.58 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI1965DH-T1-GE3 Vishay si1965dh.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R
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311+0.57 EUR
314+0.55 EUR
352+0.46 EUR
418+0.38 EUR
422+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
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SI1965DH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI1965DH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1965DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.315 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.315ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.315ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
174+1.44 EUR
236+0.99 EUR
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MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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3+1.58 EUR
10+0.98 EUR
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500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
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Hersteller: Vishay
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314+0.55 EUR
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