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SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix

si1967dh.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Supplier Device Package: SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay / Siliconix si1967dh.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
auf Bestellung 58270 Stücke:
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10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
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3000+0.19 EUR
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SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
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Power - Max: 1.25W
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
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