SI2122DS-T1-BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.17A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5840 Stücke:
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Technische Details SI2122DS-T1-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2122DS-T1-BE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.77 EUR
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SI2122DS-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2122DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2122DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.65A (Ta), 2.17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
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