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SI2122DS-T1-BE3

SI2122DS-T1-BE3 VISHAY

4473499.pdf Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5840 Stücke:
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Technische Details SI2122DS-T1-BE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI2122DS-T1-BE3 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2122DS-T1-BE3 SI2122DS-T1-BE3 Hersteller : VISHAY 4473499.pdf Description: VISHAY - SI2122DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.17 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2122DS-T1-BE3 Hersteller : Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
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Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.47 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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