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Technische Details SI2300DS-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI2300DS-T1-BE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.07 EUR
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SI2300DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2300DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V |
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SI2300DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.1A |
auf Bestellung 148722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2300DS-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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