SI2300DS-T1-GE3

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Produktcode: 72682
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details SI2300DS-T1-GE3

Preis SI2300DS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.7
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.7
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2300DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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