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SI2301CDS-T1-GE3

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
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3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
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6000+0.22 EUR
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay info-tsi2301cds.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
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100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.42 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 342
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+0.76 EUR
177+0.4 EUR
240+0.3 EUR
278+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 238792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay info-tsi2301cds.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 411000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.22 EUR
9000+0.16 EUR
21000+0.15 EUR
30000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.22 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
342+0.42 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
1500+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 342
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
177+0.4 EUR
240+0.3 EUR
278+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
auf Bestellung 238792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
26+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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SI2301CDS-T1-GE3 info-tsi2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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