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SI2301CDS-T1-GE3

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay info-tsi2301cds.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay info-tsi2301cds.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 411000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.45 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
1500+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY si2301cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.87 EUR
138+0.62 EUR
204+0.42 EUR
241+0.36 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 12178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.6 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
135+1.73 EUR
212+1.01 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
135+1.73 EUR
212+1.01 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 info-tsi2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 info-tsi2301cds.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 411000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.45 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.58 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
1500+0.35 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+0.87 EUR
138+0.62 EUR
204+0.42 EUR
241+0.36 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 12178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.33 EUR
10+0.6 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
94+2.68 EUR
135+1.73 EUR
212+1.01 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 339929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
135+1.73 EUR
212+1.01 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH