Weitere Produktangebote SI2302CDS-T1-E3 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 273221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 0,71, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 5,5 @ 4,5 В, Rds = 57 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,85 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
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