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Technische Details SI2303CDS-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI2303CDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.25 EUR
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SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V |
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SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 P-CH 30V 1.9A |
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SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V |
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SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2303CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| SI2303CDS-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
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